發(fā)布時(shí)間:2023-11-10 瀏覽次數:537
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設備簡(jiǎn)介: 化學(xué)氣相沉積(CVD)是指化學(xué)氣體或蒸汽在基質(zhì)表面反應合成涂層或納米材料的方法,是半導體工業(yè)中應用最為廣泛的用來(lái)沉積薄膜材料的技術(shù),包括大范圍的絕緣材料,以及大多數金屬材料和金屬合金材料。為此我們研發(fā)成套的CVD鍍膜系統,適用于各大高校材料實(shí)驗室、科研院所、環(huán)??茖W(xué)等領(lǐng)域;
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高溫CVD一體機由以下幾部分組成。
▲燒結系統;▲電控系統;▲上蓋開(kāi)啟系統;▲真空系統;
配置詳情
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設備特點(diǎn):
1、控制穩定可靠,操作方便。 2、采用先進(jìn)的PID自學(xué)習模糊控制,控溫精度高,保持在±1℃。 3、爐襯采用高純氧化鋁輕質(zhì)纖維材料,保溫效果更好,節能降耗。 4、數據存儲功能,可保存燒結的重要參數,時(shí)長(cháng)達30天之久(每天開(kāi)機8小時(shí))。 5、配方功能,可預存配方100條以上。 6、五個(gè)溫區獨立控制,使客戶(hù)燒結工藝更加復雜多樣。 7、聯(lián)網(wǎng)功能,通過(guò)RJ45接口,采用TCP/IP協(xié)議,可以讓系統與上位機相連(上位機需安裝相應軟件)。
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產(chǎn)品型號 |
NBD-T1200-100T5G4F |
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供電電源 |
三相380V 50HZ |
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額定功率 |
10KW |
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測溫元件類(lèi)型 |
K型熱電偶 200mm |
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最高溫度 |
1150℃ |
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加熱溫區尺寸 |
Φ150*1135mm |
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爐管尺寸 |
Φ100*1600mm |
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爐體尺寸 |
長(cháng)1900*高1250*深900mm |
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推薦升溫速率 |
10℃/min |
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重量 |
350kg | ||||||
設備細節 |
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控制系統 |
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1、燒結工藝曲線(xiàn)設置:動(dòng)態(tài)顯示設置曲線(xiàn),設備燒結可預存多條工藝曲線(xiàn),每條工藝曲線(xiàn)可自由設置;
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溫度精度 |
±1℃ |
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流程控制畫(huà)面 |
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服務(wù)支持 |
1年質(zhì)保,提供終身支持(保修范圍內不包括易耗部件,例如爐管和O形圈等) |
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