產(chǎn)品名稱(chēng)

MoS2 二硫化鉬

天然技術(shù)參數

晶體結構：六方晶系

類(lèi)型：天然

熔點(diǎn)：2375℃

純度：>98％

外觀(guān)：銀白色

電導：半導體

帶隙：塊體MoS2間接帶隙1.2 eV, 單層MoS2直接帶隙 1.8 eV

常規尺寸：10 mm×10 mm ，20 mm×20 mm，15 mm×15 mm

人工技術(shù)參數

晶體結構：六方晶系

類(lèi)型：CVD法人工合成

熔點(diǎn)：1185℃

純度：>99.99％

外觀(guān)：黑色/銀灰色

電導：半導體

帶隙：塊體MoS2間接帶隙1.2 eV, 單層MoS2直接帶隙 1.8 eV

常規尺寸：~ 3x3x0.1 mm 面積≥10平方毫米

生長(cháng)方法：分子外延，化學(xué)氣相沉積，天然

晶格常數：a=b=3.15? ,c=12.29?,   α=β=90°,γ=120°

標準包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝