產(chǎn)品名稱(chēng)

MoSe2 二硒化鉬

技術(shù)參數

類(lèi)型：CVT法人工合成

純度：>99.99％

外觀(guān)：銀灰色

電導：半導體

帶隙： 單層MoSe2直接帶隙 1.55 eV

晶體結構：六方晶系

晶體常數：a=b=3.29,  c=12.89  ,α=β=90° ,γ=120°

生長(cháng)方法：化學(xué)氣相傳輸

常規尺寸：~ 3x3x0.1 mm 面積≥10平方毫米

標準包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝