產(chǎn)品名稱(chēng)

MoTe2二碲化鉬

技術(shù)參數

類(lèi)型：CVD法人工合

成純度：>99.99％

外觀(guān)：黑色

電導：半導體

帶隙：塊體直接帶隙 0.8 eV，單層直接帶隙 1.24 eV

常規尺寸：~ 3x3x0.1 mm 面積≥10平方毫米

晶體結構：六方晶系

生長(cháng)方法：化學(xué)氣相傳輸

晶體常數：a=b=3.83?   c=13.96?  α=β=90°  γ=120°

標準包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝