發(fā)布時(shí)間:2024-06-17 瀏覽次數:90
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設備簡(jiǎn)介: 三溫區PECVD系統,即等離子體增強化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)系統,是一種先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù),廣泛應用于半導體工業(yè)、微電子、光電子、太陽(yáng)能等領(lǐng)域。該系統通過(guò)射頻電源將石英真空室內的氣體轉變?yōu)殡x子態(tài),利用等離子體中的高能電子激活反應氣體,使其在較低的溫度下發(fā)生化學(xué)反應,從而在基材上沉積出所需的薄膜。
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設備特點(diǎn):
1、溫度控制精準:三溫區設計使得系統能夠實(shí)現更精準的溫度控制,滿(mǎn)足不同材料和工藝對溫度的需求。通過(guò)三個(gè)PID溫度控制器,可以分別控制不同區域的溫度,確保整個(gè)沉積過(guò)程在理想的溫度范圍內進(jìn)行。 2、沉積速度快:相比傳統的化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù),PECVD系統具有更高的沉積速率。這主要得益于等離子體的作用,使得反應氣體在較低的溫度下就能發(fā)生化學(xué)反應,從而加快了沉積速度。 膜層均勻性好:通過(guò)射頻電源的頻率控制,可以精確調節所沉積薄膜的應力大小,從而保證膜層的均勻性和一致性。這種精確控制對于制備高質(zhì)量、高性能的薄膜材料至關(guān)重要。 3、操作穩定性高:三溫區PECVD系統采用先進(jìn)的真空系統和多通道質(zhì)子混氣系統,確保了系統的穩定性和可靠性。在長(cháng)時(shí)間運行過(guò)程中,系統能夠保持穩定的沉積速率和膜層質(zhì)量,滿(mǎn)足大規模生產(chǎn)的需求。 4、應用廣泛:該系統可廣泛應用于生長(cháng)納米線(xiàn)、石墨烯及薄膜材料等領(lǐng)域。例如,在太陽(yáng)能電池領(lǐng)域,PECVD技術(shù)被用于制備高質(zhì)量的硅基薄膜太陽(yáng)能電池;在微電子領(lǐng)域,PECVD技術(shù)被用于制備各種薄膜材料,如SiO2、SiNx等。
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規格型號① |
NBD-O1200-TS3-4ZD-PE |
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名稱(chēng)① |
CVD系統 |
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供電電源 |
380V 50HZ |
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Tmax |
1200℃ |
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額定溫度 |
1150℃ |
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觸摸屏尺寸 |
7" |
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溫區尺寸 |
200+200+200mm(三溫三控) |
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加熱額定功率 |
9KW |
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傳感器類(lèi)型 |
K型熱電偶 | |||||||
爐管材質(zhì)及尺寸 |
石英管Φ80*1400mm |
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推薦升溫速率 |
≤10/min | |||||||
機械泵抽氣速率 |
6立方米每小時(shí) KF25 | |||||||
爐腔極限真空度 |
3~5Pa 配數顯真空計 |
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進(jìn)氣系統 |
四路質(zhì)量流量控制器100sccm 200sccm 500sccm 500sccm |
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爐體外形尺寸 |
長(cháng)1488*高1275*深760mm |
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規格型號② |
RF-500W |
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名稱(chēng)② |
等離子發(fā)生器 |
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射頻頻率 |
13.56MHz |
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射頻功率輸出范圍 |
0-500W可調 |
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外形尺寸 |
長(cháng)275mm×高380mm×深430mm | |||||||
射頻功率 |
500W |
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控制系統 |
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1、燒結工藝曲線(xiàn)設置:動(dòng)態(tài)顯示設置曲線(xiàn),設備燒結可預存多條工藝曲線(xiàn),每條工藝曲線(xiàn)可自由設置; 2、可預約燒結,實(shí)現無(wú)人值守燒結工藝曲線(xiàn)燒結; 3、實(shí)時(shí)顯示燒結功率電壓等信息并記錄燒結數據,并可導出實(shí)現無(wú)紙記錄; 4、具有實(shí)現遠程操控,實(shí)時(shí)觀(guān)測設備狀態(tài); 5、溫度校正:主控溫度和試樣溫度的差值,燒結全程進(jìn)行非線(xiàn)性修正 |
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溫度精度 |
±1℃ |
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壓力測量與監控 |
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采用機械壓力表,表外殼為氣密型結構,能有效保護內部機件免受環(huán)境影響和雜物侵入,同時(shí)具有較強的耐腐蝕和耐高溫的能力。 |
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供氣系統 |
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采用浮子流量計控制氣體流速,與設備一體化,且出廠(chǎng)前已進(jìn)行漏氣測試工作。 |
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設備細節 |
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凈重 |
280kg |
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設備使用注意事項 |
1、設備爐膛溫度≥300℃時(shí),禁止打開(kāi)爐膛,避免受到傷害; 2、設備使用時(shí),爐管內壓力不得超過(guò)0.125MPa(絕對壓力),以防止壓力過(guò)大造成設備損壞; 3、真空下使用時(shí),設備使用溫度不得超過(guò)800℃。 4、供氣鋼瓶?jì)炔繗鈮狠^高,向爐管內通入氣體時(shí),氣瓶上必須安裝減壓閥,建議在選購試驗用小壓力減壓閥,減壓閥量程為0.01MPa-0.15MPa,使用時(shí)會(huì )更加精確安全。 5、當爐體溫度高于1000℃時(shí),爐管內不可處于真空狀態(tài),爐管內的氣壓需和大氣壓 相當,保持在常壓狀態(tài); 6、高純石英管的長(cháng)時(shí)間使用溫度≦1100℃ 7、加熱的實(shí)驗時(shí),不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱,則需時(shí)刻關(guān)注壓力表的示數,絕對壓力表讀數不要大于0.15MPa,必須立刻打開(kāi)排氣端閥門(mén),以防意外發(fā)生(如爐 管破裂,法蘭飛出等)。 |
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服務(wù)支持 |
一年有限保修,提供終身支持(保修范圍內不包括易耗部件,例如處理管和O形圈,請在下面的相關(guān)產(chǎn)品處訂購更換件。) |
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