發(fā)布時(shí)間：2024-07-13 瀏覽次數：28
ZnO晶體基片，化學(xué)式為ZnO，是一種直接帶隙的寬禁帶半導體材料。這種晶體具有優(yōu)秀的物理性質(zhì)和多樣的功能，如發(fā)光、電光、閃爍等。特別的，ZnO晶體的導帶底和價(jià)帶頂都位于布里淵區中心 Γ 點(diǎn)處，室溫下的帶隙寬度（實(shí)驗值）為3.376eV。
在具體應用方面，ZnO單晶基片是優(yōu)良的ZnO、GaN外延薄膜和器件的關(guān)鍵基片材料，特別適用于短波長(cháng)發(fā)光器件，例如LEDs和LDs。此外，ZnO還因其在可見(jiàn)光區域的透明性、大的機電耦合系數以及氣體分子在其表面的吸附和解吸特性，有望用于高峰值能量的能量限制器。
產(chǎn)品名稱(chēng)
ZnO 晶體基片
技術(shù)參數
晶體結構：六方晶系
晶格常數：a=3.325 ? c=5.213
?
密度：5.605 g/cm3
晶體純度：99.99%
介電常數：8.5
熔點(diǎn)：1975℃
莫氏硬度：4
熱膨脹系數(10-6/K)：6.5//
a 3.7// c
熱容：0.125(J /g.k)
透過(guò)波長(cháng)：0.4~0.6um
熱導率：30W/(m.k) at300K
生長(cháng)方式：水熱法
產(chǎn)品規格
常規晶向：<0001>、<11-20>、<10-10>
常規尺寸：10x10x0.5mm、10x10x1.0mm 20x20x0.5mm、20x20x1.0mm
晶體粗糙度：<5A
注：尺寸及方向可按照客戶(hù)要求定做。
晶體缺陷
人工生長(cháng)單晶都可能存在晶體內部缺陷。
標準包裝
1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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