發(fā)布時(shí)間：2024-04-28 瀏覽次數：192
PMN-PT晶體
PMN-PT晶體是一種新型的壓電材料，具有高壓電常數、大機電耦合系數、高介電常數、低損耗的特性，尤其其壓電性能比普通的壓電材料要提高10倍左右。此外，PMN-PT晶體還表現出優(yōu)異的非線(xiàn)性光學(xué)性能和熱釋電性能。這種材料的應用范圍非常廣泛，不僅可以滿(mǎn)足新一代高性能壓電換能器、非線(xiàn)性光學(xué)器件和光電探測器件（如紅外探測器）的核心材料需求，而且在許多領(lǐng)域都能發(fā)揮重要作用。例如，PMN-PT晶體是人類(lèi)已知的壓電材料中，壓電靈敏度最高的一類(lèi)材料，其壓電感應效率是現有PZT陶瓷的將近3倍。此外，第二代壓電晶體PIN-PMN-PT（鈮銦酸鉛-鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛）晶體在不犧牲鐵電性能的情況下，其相變溫度 (TR-T)與絞頑場(chǎng) (Ec)得到明顯提升，應用在對環(huán)境溫度較高和功率較大的場(chǎng)合，例如軍用水底聲納以及熱點(diǎn)傳感器等領(lǐng)域。
產(chǎn)品名稱(chēng)
PMN-PT晶體基片
技術(shù)參數
晶體結構：贗立方晶系
晶格常數：a=~4.024 ?
密度：8.1 g/cm3
熔點(diǎn)：1280°C
硬度： 3.5mohs
熱膨脹系數10.4x10-6/K
耦合常數：k33(longitudinal
mode) >92%kt(thickness mode) 59-62%k33'(beam mode) 84-88%
壓電系數d33 ：>2000 pC/N
介電常數e(at 1kHz after poling) ：4000 – 6000
介電損耗：tan d<0.9居
里溫度 ：135-150°C
生長(cháng)方法：坩堝下降法
產(chǎn)品規格
常規晶向：
晶向公差： ±0.5°
常規尺寸：10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm
拋光情況：?jiǎn)螔?、雙拋、細磨
拋光面粗糙度：Ra<15A （單晶內部有疇）
注：尺寸及方向可按照客戶(hù)要求定做。
晶體缺陷
人工金屬單晶存在常見(jiàn)晶體缺陷等。
標準包裝：
1000級超凈室，100級超凈袋封裝
河南諾巴迪材料科技有限公司
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