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NdGaO3(鎵酸釹)晶體

發(fā)布時(shí)間:2024-04-13  瀏覽次數:186


NdGaO3晶體

NdGaO3是近十年中發(fā)展起來(lái)的新型基片,主要用作高溫超導體(如YBCO)及磁性材料的外延薄膜生長(cháng)用基片。由于NdGaO3與YBCO的晶格失配很?。▇0.27%),且無(wú)結構相變,在NdGaO3基片上可外延生長(cháng)質(zhì)量良好的薄膜。

產(chǎn)品名稱(chēng)

鎵酸釹(NdGaO3)晶體基片

技術(shù)參數

晶體結構:正交晶系

晶格常數:a=5.43 ?  b=5.50 ?  c=7.71?  

密度:7.57 g/cm3

熔點(diǎn):1600 °C

硬度:5.9 Mohs

介電常數:<20300k

生長(cháng)方法:提拉法

產(chǎn)品規格

常規晶向: 、、、

公差:±0.5°

常規尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm

拋光情況:?jiǎn)螔?、雙拋粗糙度:<5A

注:可根據客戶(hù)需求提供特殊的尺寸和方向;

晶體缺陷

人工生長(cháng)單晶有可能存在晶體內部缺陷

標準包裝

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝

晶體材料咨詢(xún)電話(huà):199-5653-2471王經(jīng)理



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