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LGS硅酸鎵鑭晶體基片
產(chǎn)品概述:
可用于制造壓電和電光器件，1它具有高溫壓電性能。機電耦合系數是石英的3倍，可用于制造高溫傳感器和高功率、高重復率電光Q開(kāi)關(guān)。
產(chǎn)品名稱(chēng)
LGS硅酸鎵鑭晶體基片
技術(shù)參數
晶體結構:三方結構
晶格常數:a-8.170 ? c=5.099 ?
密度:5.75 g/cm3
熔點(diǎn):1470g/em3
硬度(Mohs):5.5~6.5
生長(cháng)方法:提拉法
機電耦合系數有：0.28~0.46
產(chǎn)品規格
常規晶向:
定位:X-cut
常規尺寸:10x10x0.5mm
拋光情況:雙拋
表面粗糙度<5A
注：尺寸及方向可按照客戶(hù)要求定做。
晶體缺陷
人工金屬單晶存在常見(jiàn)晶體缺陷等。
標準包裝
1000級超凈室100級超凈袋或單片盒裝
晶體材料咨詢(xún)電話(huà)：199-5653-2471王經(jīng)理
河南諾巴迪材料科技有限公司
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