氟化鑭(LaF3)晶體基片

產(chǎn)品名稱(chēng)

LaF3晶體基片

技術(shù)參數

晶體結構：三方晶系

晶格常數： a=7.190 ?   c=7.367 ?

純度：99.99%

密度：5.936 g/cm3

硬度：4.5 Mohs

熔點(diǎn)：1493℃

生長(cháng)方向：

熱膨脹系數：11.9  x10-6/ K // c  15.8  x10-6/ K // a   

熱導率：5.1 W / m.k @ 300K

光傳輸范圍：Up to 10.5 micron wavelength 

折射率 no : 1.63   ne: 1.597  

生長(cháng)方法：提拉法

產(chǎn)品規格

常規晶向： 、、 

常規尺寸：10x10x0.5mm

拋光情況：?jiǎn)螔?、雙拋

標準包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝

晶體缺陷

人工生長(cháng)單晶有可能存在晶體內部缺陷。