產(chǎn)品名稱(chēng)

Cd1-xZnxTe晶體基片

技術(shù)參數

晶體結構：立方晶系

晶格常數：a = 6.483 – 6.446?

密度：5.605g/cm3

熔點(diǎn)：1975℃

熱導率：30W /m.k at 300K

熱膨脹系數：6.5 // a  3.7 // c 10-6/K

透過(guò)波長(cháng)：0.4 ~ 0.6μm                  

產(chǎn)品規格

常規晶向：（111）

型號：P型   其中Zn占14%

電阻率：1*10(6)

常規尺寸：10x10x0.5mm、10x5x0.5mm、5x5x0.5mm

拋光情況：?jiǎn)螔?、雙拋

拋光面粗糙度：<15A

注：可按客戶(hù)要求定制特殊的方向和尺寸。

晶體缺陷

人工生長(cháng)單晶都可能存在晶體內部缺陷。

標準包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝