發(fā)布時(shí)間:2024-03-22 瀏覽次數:253
六方氮化硼(h-BN)是理想的二維材料。h-BN在1566 cm-1處呈強拉曼峰,FWHM小于5cm-1。它顯示5.9 eV帶隙,被認為是寬帶帶隙絕緣體。應用于半導體電子器件、光學(xué)器件,和絕緣導熱襯底的研究。
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
氮化硼(BN)晶體
技術(shù)參數
晶體結構:六方晶系
純度:>99.999%
顏色:白色或透明
電導:絕緣體
禁帶寬度:≈5.9eV
生長(cháng)方法: CVD法人工合成
產(chǎn)品規格
常規尺寸每片都是0.6-1mm不規則片。
注意事項
要接觸水和空氣不要長(cháng)時(shí)間的暴露在空氣中,盡量戴手套在手套箱里操作
標準包裝
100級超凈袋、盒子真空包裝。
晶體材料咨詢(xún)電話(huà):199-5653-2471王經(jīng)理