PECVD(固液蒸發(fā)防冷凝裝置)-河南諾巴迪材料科技有限公司

PECVD(固液蒸發(fā)防冷凝裝置)

發(fā)布時(shí)間： 2025-01-07 19:39:42 瀏覽次數：1142

在等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝中，前端配備液態(tài)氣相發(fā)生器（Liquid to Vapor Generator），后端配備真空泵尾氣處理罐（Condensation Prevention Exhaust Gas Treatment Tank for Vacuum Pumps），可以構建一個(gè)高效、環(huán)保且穩定的薄膜沉積系統。這種配置不僅能夠確保反應氣體的精確控制和均勻傳輸，還能有效防止尾氣中的冷凝現象，避免有害物質(zhì)在管道或設備內部形成積聚，保護環(huán)境和操作人員健康。

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應用領(lǐng)域

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	設備特點(diǎn)： 1. 精密溫控系統 ?PID調節：采用先進(jìn)的PID算法，實(shí)現對蒸發(fā)溫度的精確控制，確保前驅物能夠在最適宜的溫度下蒸發(fā)。 ?快速響應：具備快速升溫/降溫的能力，滿(mǎn)足不同工藝流程的需求。 2. 高效的蒸發(fā) ?優(yōu)化設計：蒸發(fā)器結構經(jīng)過(guò)優(yōu)化設計，最大化蒸發(fā)效率的同時(shí)減少殘留物質(zhì)的積累。 3. 可靠的防冷凝措施 ?真空泵防冷凝尾氣處理罐用于去除或減少真空泵排放氣體中的有害物質(zhì)，如揮發(fā)性有機化合物（VOCs）、酸性氣體、粉塵等，以確保符合環(huán)保標準，并保護環(huán)境和操作人員健康。 4. 智能化操作界面 ?觸摸屏控制：提供直觀(guān)易用的觸摸屏界面，用戶(hù)可以輕松設置參數并監控運行狀態(tài)。 ?數據記錄與分析：自動(dòng)記錄關(guān)鍵運行數據，并生成報告，便于后續分析和改進(jìn)。
設備名稱(chēng)	等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統
規格型號	NBD-PECVD1200-80TID4ZY
額定功率	7.5KW+1.5KW
供電電源	三相380V 50HZ
射頻頻率	13.56Mhz
射頻功率范圍	0-500W
沉積加熱額定功率	2.5KW
蒸發(fā)器額定功率	1.3KW
伴熱帶額定功率	75W
沉積額定溫度	1150℃
蒸發(fā)器額定溫度	400℃
伴熱帶額定溫度	150℃
控溫精度	±1℃
傳感器類(lèi)型	K型熱電偶
Tmax	1200℃
升溫速率	1℃/H-20℃/Min
爐膛尺寸	一溫區Φ150200；二溫區Φ150200
爐管尺寸	石英管φ80*1400mm
四路進(jìn)氣	質(zhì)量流量控制器規格： S500 50SCCM? ? 兩路：Φ6.35雙卡套 ?氮氣標定 S500 30SCCM? ? 一路：Φ6.35雙卡套 ?氮氣標定 S500 1000SCCM一路：Φ6.35雙卡套 ?氮氣標定
爐體尺寸	22308001300mm
控制系統			1、燒結工藝曲線(xiàn)設置：動(dòng)態(tài)顯示設置曲線(xiàn)，設備燒結可預存多條工藝曲線(xiàn)，每條工藝曲線(xiàn)可自由設置； 2、可預約燒結，實(shí)現無(wú)人值守燒結工藝曲線(xiàn)燒結； 3、實(shí)時(shí)顯示燒結功率電壓等信息并記錄燒結數據，并可導出實(shí)現無(wú)紙記錄； 4、具有實(shí)現遠程操控，實(shí)時(shí)觀(guān)測設備狀態(tài)； 5、溫度校正：主控溫度和試樣溫度的差值，燒結全程進(jìn)行非線(xiàn)性修正。
溫度精度	±1℃
加熱元件		Mo摻雜的Fe-Cr-Al合金
液態(tài)蒸汽發(fā)生器+蠕動(dòng)泵		該系統能夠精確控制液體前驅物的輸送，并將其高效轉化為氣態(tài)，確保反應氣體的均勻傳輸，從而提高了薄膜沉積的質(zhì)量和效率。這種組合特別適用于需要高精度流量控制和穩定蒸發(fā)的應用場(chǎng)景。
真空泵尾氣處理罐		用于去除或減少真空泵排放氣體中的有害物質(zhì)，如揮發(fā)性有機化合物（VOCs）、酸性氣體、粉塵等，確保排放符合環(huán)保標準，并保護環(huán)境和操作人員健康。
可選配（CRB升級型尾氣凈化器)		本公司研制的NBD-B型外延爐尾氣凈化器，在結構上綜合采用了2個(gè)噴洗室和1個(gè)填料柱室，洗滌器所產(chǎn)生的負壓由人工手動(dòng)控制，補水系統由人工根據工藝情況調節。水溶性氣體的清除率高達 99.99％。凈化效率最高、維護最方便，運行成本最低。
PECVD+CRB升級型尾氣凈化器應用
凈重	260kg
設備使用注意事項	1、設備爐膛溫度≥300℃時(shí)，禁止打開(kāi)爐膛，避免受到傷害； 2、設備使用時(shí)，爐管內壓力不得超過(guò)0.125MPa（絕對壓力），以防止壓力過(guò)大造成設備損壞； 3、真空下使用時(shí)，設備使用溫度不得超過(guò)800℃。 4、供氣鋼瓶?jì)炔繗鈮狠^高，向爐管內通入氣體時(shí)，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議在選購試驗用小壓力減壓閥，減壓閥量程為0.01MPa-0.15MPa,使用時(shí)會(huì )更加精確安全。 5、當爐體溫度高于1000℃時(shí)，爐管內不可處于真空狀態(tài)，爐管內的氣壓需和大氣壓相當，保持在常壓狀態(tài)； 6、高純石英管的長(cháng)時(shí)間使用溫度≦1100℃ 7、加熱的實(shí)驗時(shí)，不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱，則需時(shí)刻關(guān)注壓力表的示數，若絕對壓力表讀數大于0.15MPa，必須立刻打開(kāi)排氣端閥門(mén)，以防意外發(fā)生（如爐管破裂，法蘭飛出等）。
服務(wù)支持	一年有限保修，提供終身支持（保修范圍內不包括易耗部件，例如處理管和O形圈，請在下面的相關(guān)產(chǎn)品處訂購更換件）。

應用領(lǐng)域

1.?半導體制造：用于制備硅基器件上的絕緣層、導電層等，如二氧化硅（SiO?）、氮化硅（Si?N?）等。

2.?光伏產(chǎn)業(yè)：生產(chǎn)太陽(yáng)能電池板所需的減反射膜、背場(chǎng)接觸層等。

3.?光學(xué)涂層：為鏡頭、鏡子等光學(xué)元件提供高反射率或低反射率的涂層。

4.?微電子機械系統（MEMS）：制造微小尺寸的傳感器、執行器等器件。

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